利用δAl/AlN做缓冲层在Si(111)上生长GaN

摘要：

采用MOCVD生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.试验结果表明,在加入δ Al/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.本文通过MOCVD生长方法,光学显微镜、XRD、Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小,晶体质量高的GaN材料.

关键词： GaN薄膜 MOCVD生长 AlN缓冲层 晶体质量

作者: 郭伦春 王晓亮 胡国新 肖红领 冉军学 王翠梅 李建平 罗卫军 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 395-398

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）