凸点对倒扣AlGaN/GaN功率器件的影响
本文报道了基于倒扣技术的AlGaN/GaN HEMT功率器件,并详细分析了热凸点和电凸点对倒扣寄生参数以及热阻的影响,优化AlN基板设计,获得了基于倒扣技术的单指型管芯150×0.8 um,器件的直流输出特性为0.7 A/mm,比倒扣前提高了40％,在Vgs=-2V,Vds=25V,4GHz下测出线性增益10 dB,26 dBm输出功率,功率密度2.7 W/mm,比倒扣前的功率输出能力提高了一倍.倒扣方法的使用大大增强了管芯的功率容限,提高了器件的功率输出,加快了蓝宝石衬底GaN功率器件的实用化进程。
倒扣技术 热凸点 电凸点 直流输出功率 AlGaN GaN功率器件 蓝宝石衬底
陈晓娟 罗卫军 魏珂 和致经 刘新宇
中国科学院微电子研究所,100029
国内会议
广西北海
中文
390-394
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）