GaN基功率型LED可靠性分析

摘要：

以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35％、驱动电流350mA连续老化1080小时后,并对LED的失效机理进行分析.结果表明,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减2.56％和1.35％,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、P电极的欧姆接触稳定性等对LED可靠性的有重要的影响。

关键词： 氮化镓基 外延材料 功率LED 老化试验 退化机理 欧姆接触

作者: 陈宇 伊晓燕 王立彬 刘志强 马龙 王良臣 严丽红

作者单位: 中科院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 385-389

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）