倒装GaN基LED阵列微透镜粗化技术研究

摘要：

通过感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化,并研究了阵列微透镜粗化对GaN基LED性能的影响.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50％。

关键词： GaN基LED 感应耦合等离子 阵列微透镜 干法刻蚀 表面粗化

作者: 刘志强 王良臣 伊晓燕 王立彬 陈宇 郭德博 马龙

作者单位: 中科院半导体研究所,集成技术中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 382-384

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）