利用MOCVD无掩模横向外延法制备GaN薄膜

摘要：

本文在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD))方法对无掩模横向外延(ELO)GaN薄膜进行了研究.实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,最终沉积高温GaN,制备出低位错密度的GaN外延层.文章分析了横向外延沉积的原理,并分别利用x射线衍射,湿法腐蚀以及扫描电子显微镜对外延层进行检测,实验结果证明利用无掩模横向外延技术可以生长出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN薄膜.

关键词： GaN薄膜 无掩模横向外延 金属有机物气相外延 蓝宝石衬底 化学腐蚀法 位错密度

作者: 张帷 刘彩池 郝秋艳 冯玉春

作者单位: 天津河北工业大学信息功能材料研究所,300130;深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,518060 天津河北工业大学信息功能材料研究所,300130 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 378-381

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）