P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析

摘要：

本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41ev,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-EV=0.15eV.这些结果与理论值和其它实验结果符合得很好。

关键词： p型GaN材料 传输线法 镜像力 Ni/Au合金电极 电流电压 接触电阻率 能带结构

作者: 王彦杰 胡晓东 杨子文 廖辉 胡成余 潘尧波 杨志坚 张蓓 张国义 胡晓东

作者单位: 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 374-377

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）