竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长

摘要：

根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域分布较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260 μm/h,周边为140 μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141arcsec;0杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射。

关键词： 氢化物气相外延 理论模拟 GaN厚膜 流体动力学

作者: 马平 段垚 魏同波 段瑞飞 王军喜 曾一平 李晋闽

作者单位: 中科院半导体所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 366-369

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）