利用常规工艺实现光子晶体GaN LED出光效率的提高

摘要：

计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析.

关键词： 光子晶体 氮化镓 蓝光发光二极管 ICP 能带结构 感应耦合等离子体刻蚀

作者: 胡海洋 许兴胜 鲁琳 宋倩 杜伟 王春霞 陈弘达

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 327-331

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）