表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响

摘要：

本文研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻率从8×10-3Ω·cm2降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效的去除了p-GaN表面氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性。

关键词： 王水溶液 p-GaN欧姆接触 表面处理 X射线光电子谱 比接触电阻率

作者: 赵德胜 张书明 朱建军 赵德刚 段俐宏 张宝顺 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究光电子研究发展中心,北京,100083;长春理工大学,长春,130022 中国科学院半导体研究光电子研究发展中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 324-326

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）