垂直电极结构GaN基发光二极管的研制
利用激光剥离技术(LLO)和晶片键和技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的和合金化键和过程解决了GaN材料与Si衬底的结合,结合逐个芯片剥离和键和的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.
氮化镓 发光二极管 激光剥离 金属合金键和 垂直电极 GaN量子阱 光学性质
康香宁 包魁 陈志忠 徐科 章蓓 于彤军 聂瑞娟 张国义
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心北京,100871
国内会议
广西北海
中文
318-321
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）