应用于X波段的0.8 m栅长AlGaN/GaN HEMT功率器件

摘要：

报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流密度达到0.9 A/mm,跨导250 mS/mm,击穿电压大于100V,截止频率(fT)达到24GHz,最大振荡频率(fmax)为30 GHz,在X波段,8GHz下,连续波测试得到功率增益5dB,输出功率达4W,连续工作30分钟后,输出功率下降0.1dBm。

关键词： 氮化镓材料 高电子迁移率晶体管 微波功率器件 光学光刻 MOCVD 外延生长

作者: 刘果果 郑英奎 刘新宇 魏珂 和致经

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 297-300

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）