GaN基金属-半导体-金属探测器

摘要：

在非故意掺杂的GaN外延层上制作了MSM结构的探测器.对暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流发生变化.光谱响应测量中发现带隙内的异常峰值响应现象.根据陷阱模型对它们做出了解释.

关键词： GaN外延 MSM结构 探测器 暗电流测试 光谱响应 淬灭 陷阱模型

作者: 刘文宝 赵德刚 刘宗顺 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 284-287

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）