双能态Cr+离子注入法制备GaCrN铁磁性薄膜
GaN基稀磁半导体材料是近年来在自旋电子学领域中受到了广泛关注的研究热点.本文介绍了我们用双能态Cr+离子注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+离子,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD、SQUID和Hall法对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+离子后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.
稀磁半导体材料 GaCrN薄膜 离子注入法 铁磁半导体 铁磁性薄膜
姜丽娟 王晓亮 刘超 肖红领 王翠梅 冉军学 胡国新 李建平
中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
271-275
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）