生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高的温度下(600℃和590℃)生长的InAlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.
RF-MBE外延 铟铝镓氮薄膜 射频等离子体 分子束外延 生长温度
王保柱 刘宏新 李晋闽 王晓亮 王晓燕 王新华 郭伦春 肖红领 王翠梅 冉军学 王军喜
中国科学院半导体研究所,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
264-267
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）