高阻GaN薄膜电阻率测量

摘要：

建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。

关键词： 高阻GaN薄膜 电阻率测量 测量误差 环境温度 漏电流

作者: 方测宝 李晋闽 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 李成基 罗卫军 杨翠柏 曾一平

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 259-263

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）