GaN纳米棒的制备及机理研究
纳米GaN通常采用催化剂法在蓝宝石或者硅衬底上获得,其生长机理遵从vapor-liquid-solid(VLS)机制.本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒.测试结果表明制备的GaN纳米棒是<100>方向生长的纯六方相结构.通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果.在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被”挤”出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒.不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构。
Ni催化剂 GaN纳米棒 外延生长机制 纳米结构
王敬蕊 叶志镇 马全宝 姜静 胡少华 何海平
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
国内会议
广西北海
中文
251-254
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）