物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

摘要：

利用物理气相传输法(PVT)生长了直径40-50 mm、厚约8-10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5毫米.用拉曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.

关键词： AlN晶体 物理气相传输法 晶体缺陷 晶体结构 单晶生长

作者: 董志远 赵有文 魏学成 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京市912信箱,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 245-250

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）