生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分,结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而升高.

关键词： InGaN薄膜 MOCVD 有机化学气相沉积 在位监测 x射线衍射 光致发光 生长温度

作者: 王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 241-244

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）