InN的光学性质研究

摘要：

本文对用MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)技术生长在GaN/Saphire衬底上的InN薄膜进行Hall、吸收谱以及光致发光(PL:Photoluminescence)谱的测量,并对PL线型进行分析,得到InN的带隙大致在0.7eV左右.发现吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.

关键词： InN薄膜 MOCVD生长 吸收谱 PL谱 Hall 载流子浓度

作者: 孙苋 王辉 王莉莉 江德生 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 237-240

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）