HVPE外延GaN厚膜及其光学性能研究

摘要：

采用HVPE技术在MOCVD生长的GaN模版上外延了高质量的GaN厚膜,通过XRD和SEM发现,随着GaN膜增厚,外延层的晶体质量变好,260μm厚膜的摇摆曲线的半高宽仅有141arcsec,腐蚀坑密度5×106cm-2.利用低温PL谱、CL谱研究了GaN厚膜的光学性能,结果发现,低温下具有尖锐的带边峰,半高宽仅10meV,黄光带低温下很弱,室温下则接近带边强度,GaN表面的Ⅴ型缺陷区具有强的发光,主要是峰位3.289eV的强发射造成的,缺陷区的黄光峰则明显弱于平整区.

关键词： GaN薄膜 HVPE 光致发光 阴极荧光谱 Ⅴ型缺陷 MOCVD生长 晶体质量

作者: 魏同波 马平 段瑞飞 王军喜 刘喆 王晓亮 曾一平 李晋闽

作者单位: 中科院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 233-236

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）