前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(10-12)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec。
前处理 MOCVD 蓝宝石衬底 GaN薄膜 外延生长 光学质量
彭冬生 冯玉春 牛憨笨
深圳大学光电子学研究所,深圳,518060
国内会议
广西北海
中文
217-220
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）