氧化对Ni/n-AlGaN透明电极肖特基接触的影响

摘要：

在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明,由于Ni表面形成的一层薄的NiO,在光波长为314 nm时电极的透明度比纯金属Ni的透明度提高35.5％.同时,低温退火使得理想因子从2.03减小到1.3,肖特基势垒高度从0.77eV提高到0.954eV.这种方法可以应用于制作高透明性的肖特基型紫外探测器.

关键词： AlGaN透明电极 金属Ni 肖特基接触 金属有机气相沉积 外延生长 紫外探测器

作者: 桑立雯 岑龙斌 陈志忠 杨志坚 秦志新 张国义

作者单位: 北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 358-361

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）