凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

摘要：

本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT输出功率大于10W.

关键词： AlGaN材料 GaN材料 高电子迁移率晶体管 场板结构 动态测试 凹槽栅 微波输出功率

作者: 陈辰 陈堂胜 任春江 薛舫时

作者单位: 南京大学,210008 单片集成电路和模块国家级重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 353-357

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）