势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响

摘要：

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻均匀性。

关键词： 2DEG AlGaN GaN异质结 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 外延生长

作者: 李忠辉 董逊

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 349-352

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）