AlGaN紫外光探测器

摘要：

我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型探测器.其中,器件最短的截止波长为307nm,紫外/可见光(UV/visible)达到103以上。

关键词： AlGaN材料 紫外光探测器 肖特基接触 AlN插入层 欧姆接触

作者: 岑龙斌 桑立雯 周绪荣 秦志新 张国义

作者单位: 北京大学,物理学院,人工微结构与介观物理实验室,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 345-348

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）