非极性a-面GaN的拉曼散射研究

摘要：

利用金属有机气相外延(MOCVD)方法在R-面(1(1)02)蓝宝石衬底上生长了非极性的a-面(11(2)0)GaN薄膜.通过常温拉曼散射光谱的研究发现非极性GaN表面应力呈各向异性.从100K到550K温度范围内每隔50K对非极性GaN薄膜进行变温拉曼散射光谱测试.测试表明A1(TO)和E2(high)声子的频率和强度都随温度的升高而减小,而半高宽随温度的升高而增加,约在400K时a-面GaN处于无应力状态.

关键词： MOCVD 非极性 a-面GaN薄膜 拉曼散射光谱 金属有机气相外延

作者: 高海永 闫发旺 闫建昌 王军喜 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所新材料部,北京,100083,中国 中国科学院半导体研究所集成技术中心,北京,100083,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 341-344

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）