电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究

摘要：

随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将这两种方法应用到通信波段光子晶体的制作中,通过工艺参数优化,都得到了较好的硅基光子晶体样品.

关键词： 电子束光刻 深紫外光刻 光子晶体 光器件

作者: 王春霞 许兴胜 韩伟华 杜伟 宋倩 胡海洋 陈弘达

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 786-789

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）