两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

摘要：

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

关键词： 异质结双极晶体管 直流特性 高速固态器件 Medici软件

作者: 林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 781-785

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）