大直径LEC薄片多线切割过程控制分析

摘要：

众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低”裂纹”断底”:对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

关键词： 多线切割 LEC 过程控制 切割机

作者: 郑红军 朱蓉辉 赵德刚

作者单位: 中科院半导体研究所材料中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 774-776

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）