InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成

摘要：

本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.

关键词： 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 磷化铟 单片集成 分子束外延

作者: 马龙 张杨 戴扬 杨富华 曾一平 王良臣

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 770-773

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）