基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀发射极镇流电阻设计
本文在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.我们发现对于采用均匀发射极镇流电阻的功率HBT,芯片中心发射极条温度很高,进而限制了器件的功率处理能力.因此我们提出非均匀发射极镇流电阻设计方案,并以12指Si0.8Ge0.2HBT为例,详细地给出了非均匀发射极镇流电阻设计过程.结果表明,在总发射极镇流电阻阻值(各指发射极镇流电阻并联值)不变的情况下,非均匀发射极镇流电阻设计与传统的均匀设计相比,芯片中心结温显著降低,芯片表面温度趋于一致,大大提高了HBT的功率处理能力.同时我们发现当各指发射极镇流电阻阻值从芯片边缘到中心按e指数分布时,多发射极功率HBT的芯片表面温度趋于平均.e指数分布的提出可大大降低非均匀发射极镇流电阻优化时间,为功率HBT的设计提供指导.
异质结双极晶体管 热电模型 发射极镇流电阻 三维热电模型
金冬月 张万荣 邱建军 高攀 萧莹
北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100022
国内会议
广西北海
中文
753-756
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）