会议专题

430mm×430mm大面积光刻机研制

本文重点介绍了新近研制开发的适合国内外半导体相关行业需求的大面积光刻机的设计方案、总体结构组成、工作原理及技术措施.该设备可根据用户不同使用需求进行掩模变换,实现不同特殊尺寸要求基片的接近/接触式曝光,套刻对准方式采用了高精度CCD图像定位与精密工件台的精确位移实现精确对准,工件台采用方形精密导轨,可对50mm~430mm范围内的基片对准标记进行套刻对准,操作快捷简便,适用范围广.

大面积光刻机 CCD对准 精密工件台

杨春利

中国科学院光电技术研究所,四川成都,610209

国内会议

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

广西北海

中文

745-748

2006-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)