AlGaInP/Si的键合研究

摘要：

键合技术是大失配异质材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一.本文以金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面没有不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.

关键词： AlGaInP I-V特性 金锡合金 键合技术

作者: 郭德博 梁萌 范曼宁 刘志强 王良臣 王国宏

作者单位: 中科院半导体所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 742-744

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）