X波段InGaP/GaAs HBT MMIC功率放大器

摘要：

本文报道了工作于x波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用IMECAS InGaP/GaAs HBT自对准工艺制作有源及无源器件,标准mmic工艺完成芯片减薄及背孔制作.电路采用RC并联网络提高电路的稳定性,在9.3Ghz,利用夹具测量,得到的小信号功率增益大于5dB,输入输出驻波比小于2.5.

关键词： HBT MMIC X波段 功率放大器

作者: 陈延湖 申华军 王显泰 刘新宇 吴德馨

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京,100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 699-701

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）