蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

摘要：

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18 arcmin;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618 nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/V-s.

关键词： 氮化铟薄膜 MOCVD生长 半峰宽 气相沉积 晶体质量 单晶InN薄膜

作者: 肖红领 王晓亮 杨翠柏 胡国新 冉军学 王翠梅 张小宾 李建平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 208-211

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）