SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料研制
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在半绝缘4H-SiC和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.所研制的HEMT结构材料室温电子迁移率和二维电子气浓度分别为2215cm2/Vs和1.044×1013cm-2;三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射峰的半高宽小于等于3.24 arcmin,GaN(10-12)衍射峰的半高宽小于等于4.50 arcmin,10μm×10μm扫描面积的表面粗糙度小于等于0.33 nm.2英寸HEMT外延片具有低的平均方块电阻和非常好的方块电阻均匀性,平均方块电阻不高于253.7Ω/(□),方块电阻不均匀性小于2.02％.用以上材料,研制出了1 mm栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,在8GHz频率连续波输入下,实测得到的饱和输出功率密度为8.25W/mm,相应功率附加效率为39.4％.对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dB,表明研制的器件具备了一定的可靠性.
AlGaN/GaN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件 碳化硅衬底 金属有机物化学气相沉积 HEMT结构材料
王晓亮 李晋闽 王占国 王翠梅 胡国新 马志勇 肖红领 冉军学 罗卫军 唐健 李建平
中国科学院半导体研究所,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
193-200
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）