多晶GaAs薄膜的生长及有机GaAs复合发光器件

摘要：

研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其形态结构与在石英衬底上600℃时直接生长的多晶态GaAs薄膜较为一致.基于400℃、ITO玻璃上生长的GaAs薄膜,我们制备了有机GaAs复合发光器件.

关键词： GaAs薄膜生长 无定型衬底 有机GaAs发光器件 原位恒温处理

作者: 曹峻松 秦大山 曹国华 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所新材料部,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 180-183

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）