利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结构实现1.3微米光致发光
在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结构发光峰位红移180 nm,实现了1.3微米发光.结合透射电镜分析,多层堆垛量子点材料发光的显著红移是由于量子点层间应力耦合导致的上层量子点体积增大以及各量子点层间的能态耦合。
GaAs量子点 分子束外延 垂直堆垛 长波长发光 InAs
刘宁 金鹏 吴巨 王占国
中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
174-176
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）