大直径SI-GaAs中的缺陷分布

摘要：

本文采用金相显微镜和PL Mapping扫描光谱仪,检测6英寸SI-GaAs晶片.首先用光荧光谱表征样品表面和内部的发光特性,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;然后用金相显微镜检测AB腐蚀后样品中的缺陷分布状况,对比样品的发光峰发光强度信号均匀性光谱和化学腐蚀图片及位错密度分布曲线,进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化.

关键词： SI-GaAs PL Mapping 金相显微镜 缺陷分布 位错密度

作者: 赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 170-173

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）