利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点

摘要：

本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表明两步生长方法生长的InAs QDs比常规的SK模式生长的QDs具有更好的发光质量和尺寸分布.

关键词： 分子束外延 量子点 两步生长法 InAs GaAs量子点

作者: 黄社松 詹峰 赵欢 吴东海 方志丹 倪海桥 牛智川

作者单位: 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 163-165

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）