基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长的实验研究

摘要：

使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量,发现在生长温度为450℃,厚度约15 nm的缓冲层上外延所得到的晶体质量最理想;此外,外延层厚度的增加对其晶体质量有明显改善作用.本实验在优化生长条件的同时,也考虑了热退火等辅助工艺,量后所获得的外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)的ω/20扫描外延峰半高全宽(FWHM)值为238.5 arcsec.

关键词： 异质外延生长 InP GaAs衬底 MOCVD 低温缓冲层 气相沉淀法 晶体质量

作者: 周静 王琦 熊德平 黄辉 黄永清 任晓敏

作者单位: 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,100876 北京邮电大学继续教育学院,100876

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 159-162

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）