非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究
人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视场中发现的物体成分和尺寸等特征,而作者通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非参杂LEC半绝缘砷化镓晶片100抛光片意外发现一种源自晶体的微缺陷,并通过定性试验断定为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法。
砷化镓LEC 砷沉淀 微缺陷 抛光晶片 晶体缺陷 光散射
朱蓉辉 曾一平 卜俊鹏 惠峰 郑红军 赵冀 高永亮
中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
国内会议
广西北海
中文
154-158
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）