相同剂量的δ掺杂层分布对应变硅nMODFET的影响

摘要：

本文运用二维器件仿真软件MEDICI模拟了δ掺杂层中同掺杂剂量下各种掺杂分布对应变Si-n型MODFET的影响,模拟过程中讨论了均匀分布、高斯分布两种情况.为了增加结论的准确性,模拟过程使用了对文献数据进行拟和得出的应变硅的电子解析迁移率模型.通过模拟结果表明,在总剂量一定的情况下,δ掺杂层电子峰值浓度越高,漏电流、跨导和截止频率相应地会越高,但器件的亚阈特性会越差.

关键词： nMODFET δ掺杂 均匀分布 高斯分布 掺杂分布

作者: 周林 张鹤鸣

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 668-671

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）