基于序进应力加速试验评价器件失效率的新方法

基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3DG130为例,进行了160℃-310℃范围内的序进应力加速寿命试验,然后根据模型,计算得到了器件的寿命分布和失效率.结果与文献能够很好的吻合,验证了方法的可行性。
序进应力加速试验 半导体器件 寿命试验 失效率 微电子器件
郭春生 李秀宇 马卫东 谢雪松 刘鹏飞 李志国
北京工业大学,电子信息与控制工程学院,可靠性研究室,北京,100022
国内会议
广西北海
中文
136-140
2006-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)