硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案

摘要：

本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.

关键词： 硅基微纳光子器件 ICP-RIE刻蚀 光波导侧壁粗糙度 CVD

作者: 陈少武 屠晓光 余和军 樊中朝 徐学俊 余金中

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家联合重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 660-663

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）