辐照对SiGe HBT增益的影响

摘要：

本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.本文参照测得的一些电子陷阱讨论了辐照致性能变化.

关键词： 半导体 SiGe HBT 电子辐照 γ射线辐照 直流增益

作者: 孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信

作者单位: 清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084 清华大学微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 642-646

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）