Si上Si1-xGex:C缓冲层的载流子分布

摘要：

本文用化学气相淀积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.

关键词： 化学气相淀积 载流子 导电分布特性

作者: 夏冬梅 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 王荣华 王琦 韩平 梅琴 陈刚 谢自力 修向前 朱顺明

作者单位: 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 南京电子器件研究所重点实验室,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 638-641

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）