低温SiGe异质结构的热处理行为

摘要：

本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发生氧化和Ge原子的扩散,并导致经750℃ 5分钟热处理的LT-SiGe样品的高分辨X射线衍射峰发生异常移动.低温SiGe层将位错限制在SiGe层下界面附近,从而降低了SiGe层中的穿透位错密度.

关键词： 低温生长 应变弛豫 热处理 热稳定性 超高真空化学气相沉积法

作者: 马通达 屠海令 成步文 冯泉林 邵贝羚 刘安生

作者单位: 北京有色金属研究总院,北京,100088 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 630-633

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）