用于太阳电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性

摘要：

本文采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2/ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104 cm-1、光学禁带宽度约为1.51 eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ωcm、4.2 cm2/VS、2.37×1018 cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.

关键词： 真空蒸镀 硫化 太阳电池 Cu2ZnSnS4薄膜 光电特性

作者: 付玉军 张军 贺德衍 邵乐喜

作者单位: 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 625-629

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）