SiC外延工艺中的气体流体模型

摘要：

本文构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.

关键词： SiC 流体模型 COMSOL 模拟软件

作者: 贾仁需 张义门 张玉明 郭辉

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 605-608

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）